石墨烯衬底-衬底上外延石墨烯及其性能研究

石墨烯与弹性衬底的界面力学性质研究石墨烯与柔性衬底港泉

石墨烯许多优异的力学，电学和热学特性使其具有广泛的应用前景，例如作为可弯曲电子材料，透明电极，复合纳米材料等。作为一种由单层碳原子构成的二维材料，石墨烯与其衬底材料的界面相互作用对其性质具有很大的影响。美国北卡罗莱纳州立大学的姜涛博士和朱勇教授以及德克萨斯大学的一个国际研究小组报告了一种新的无聚合物技术，用石墨烯制造透明柔性衬底。石墨烯是一种独特的2d材料，已显示出惊人的性能，其中包括高本征载流子迁移率，可调谐带隙，高机械强度和弹性，以及优越的热导率，等等。这种独特的特性使石墨烯成为许多应用的潜在材料，例如其实现高速晶体管

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衬底对生长石墨烯的影响研究真空技术网如果吃一小勺石墨烯会如何？知乎

基于石墨烯的生长机理，从衬底材料的角度，综述了近几年衬底对cvd生长石墨烯的影响的研究进展。展望了衬底选择的发展新这种转移可通过两种方法实现：一是把Ni用溶剂腐蚀掉以使石墨烯薄膜漂浮在溶液表面，进而把石墨烯转移到任何所需的衬底上；另外一种则是用橡皮图章式的技术转移薄膜。

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抛光铜箔衬底上石墨烯生长图文百度文库氧化石墨烯在氧化锌衬底上的电化学还原及其光电性能

本文主要介绍以铜箔为衬底，以聚苯乙烯为固态碳源通过CVD方法进行石墨烯层数可控生长的研究结果，发现采用机械与电化学双重抛光的铜箔作为衬底时，可以制备出高质量的石墨烯；通过控制聚苯乙烯固态碳源的重量，我们成功地实现了石墨烯的层数可控生长。no3 李一鸣等：氧化石墨烯在氧化锌衬底上的电化学还原及其光电性能 1 引言作为制备石墨烯粉体的常见前驱物，氧化石墨烯 go 在近年来受到愈加广泛的关注。go 结构中吸附在六方蜂窝碳原子网络上的大量氧官能团

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高品质石墨烯类产品南京牧科纳米科技有限公司一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法技术，石墨烯衬底技

石英衬底单层石墨烯薄膜 Graphenea PEN基单层石墨烯薄膜 Graphenea 氧化石墨烯分散液 g Graphenea 氧化石墨烯分散液 1g Graphenea 氧化石墨烯粉末 Graphenea 还原氧化石墨烯 Graphenea本技术资料提供一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法，所述方法少包括：1 提供一柔性衬底，将所述柔性衬底粘附一硬性衬底，并在所述柔性衬底上形成石墨烯导电沟道；2 采用电子束曝光图形化形成源、漏电极图形，沉积金属并剥离在所述石墨烯导电沟道的两端形成源、漏金属电极；3

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苏州纳米所刘立伟课题组等：快速批量制备高质量石墨烯研究方面去除甲醛新风向标—石墨烯新浪家居

通过调控石墨烯和铜衬底的晶格失匹配，石墨烯的晶界密度得到有效抑制，石墨烯的室温场效应迁移率达到 cm2 V 1s 1，方块电阻500 Ω/ 。而且其磁性来源于吸附原子与石墨烯衬底的相互作用，而o吸附体系没有磁性。这一系列的情况能够更好地证明石墨烯具有很强的吸附能力。有这样的稳定元素制作而成的石墨烯炭包和石墨烯喷剂，吸附效果是远远优于普通炭包和普通去甲醛喷剂的，这样的石墨

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对于具有高科技应用的硅衬底氮化镓，石墨烯有助于其石墨烯维基百科，自由的百科全书

在近一篇研究论文中， Graphenea 公司展示了使用石墨烯作为中间层生长硅衬底氮化镓设备。由元素周期表第三族元素和氮 III nitride 半导体制备的半导体，如氮化铟 lnN 、氮化铝 AlN 和氮化镓 GaN ，表现出奇异的特性，在很对于紧贴在氧化硅衬底上面的石墨烯而言，与石墨烯自己的声子所造成的散射相比，氧化硅的声子所造成的散射效应比较大，这约束迁移率上限为 40 000 cm 2 V −1 s −1 。

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怎样将衬底上的石墨烯转移到衬底上百度知道封面：石墨烯“复印机”，半导体膜制备新玩法 X 资讯

1、石墨烯粉体所谓“石墨烯粉体”，实际上是单层石墨烯和多层石墨烯的混合物。目前公众对石墨烯的理解有些混乱。他们在GaAs 001 衬底上转移一层石墨烯，然后通过常规的外延法，在石墨烯层上方生长一层与衬底晶格结构完全一致的GaAs 001 层

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衬底上外延石墨烯及其性能研究 a02金属衬底上石墨烯的控制生长和微观形貌的表征

SiC衬底上外延石墨烯及其性能研究石墨烯是由单层sp 2 碳原子组成的六方点阵蜂巢状二维结构，是继碳纳米管、富勒烯之后的又一重大发现。石墨烯呈现出新奇的物理特性：载流子是一种相对论粒子，遵循狄拉克方程；零能隙，可以通过掺杂或几何构型调控使其表现为金属或半导体特性；奇特的金属衬底上石墨烯的控制生长和微观形貌的stm表征张艳锋 1 2 高腾 1 张玉 2 刘忠范 1 1 北京大学纳米化学研究北京大学化学与分子工程学院北京

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借衬底之力：水与石墨烯相互作用中国和2衬底上石墨烯的生长和结构表征道客巴巴

该电压与水的极性，石墨烯的电阻和压电衬底的压电常数在一定程度上成正比例关系。另一方面，由于石墨烯的屏蔽作用，该电压随着石墨烯层数的增加而急剧减小。通过用一根毛笔来增加施加在压电衬底上的压力，他们观察到了高达01伏特的电压输出。关键词：固源分子束外延石墨烯硅衬底 SiO2/Si 衬底 ABSTRACT IIIABSTRACT Graphene is a new material comprising of a monolayer of carbon atoms packed into a two dimensional honeycomb lattice exihibits a series of unusual mechanical electrical and thermaldynamic properties and will be widely applied in integrated circuit

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北京大学刘忠范团队＆半导体所李晋闽团队基于石墨烯衬底外延石墨烯及其性能研究

目前gan通常是异质外延生长在蓝宝石、碳化硅、硅等衬底上，这些衬底与gan之间存在较大的晶格失配与热失配，使得外延gan 薄膜内具有很大的应力，并产生众多的穿透位错，导致led器件发光效率降低。石墨烯/蓝宝石衬底上生长的led器件结构相关表征 SiC衬底上外延石墨烯及其性能研究石墨烯是由单层sp 2 碳原子组成的六方点阵蜂巢状二维结构，是继碳纳米管、富勒烯之后的又一重大发现。石墨烯呈现出新奇的物理特性：载流子是一种相对论粒子，遵循狄拉克方程；零能隙，可以通过掺杂或几何构型调控使其表现为金属或半导体特性；奇特的

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